EE见闻录: 2010年5月9日

2010年5月10日星期一

【转载】什么是锁相环？

什么是锁相环？锁相环是指一种电路或者模块，它用于在通信的接收机中，其作用是对接收
到的信号进行处理，并从其中提取某个时钟的相位信息。或者说，对于接收
到的信号，仿制一个时钟信号，使得这两个信号从某种角度来看是同步的（
或者说，相干的）。

由于锁定情形下（即完成捕捉后），该仿制的时钟信号相对于接收到的信号
中的时钟信号具有一定的相差，所以很形象地称其为锁相器。

而一般情形下，这种锁相环的三个组成部分和相应的运作机理是：

1 鉴相器：用于判断锁相器所输出的时钟信号和接收信号中的时钟的相差的幅度；

2 可调相/调频的时钟发生器器：用于根据鉴相器所输出的信号来适当的调节锁相器
内部的时钟输出信号的频率或者相位，使得锁相器完成上述的固定相差功能；

3 环路滤波器：用于对鉴相器的输出信号进行滤波和平滑，大多数情形下是一个低通
滤波器，用于滤除由于数据的变化和其他不稳定因素对整个模块的影响。

从上可以看出，大致有如下框图：
　　┌─────┐　　　┌─────┐　　　┌───────┐　　　
→─┤　鉴相器　├─→─┤环路滤波器├─→─┤受控时钟发生器├→┬─→
　　└──┬──┘　　　└─────┘　　　└───────┘　│　　　
　　　　　↑　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　↓
　　　　　└──────────────────────────┘

可见，是一个负反馈环路结构，所以一般称为锁相环（PLL: Phase Locking Loop）

锁相环有很多种类，可以是数字的也可以是模拟的也可以是混合的，可以用于恢复载波
也可以用于恢复基带信号时钟

【转载】常用音响技术词汇

AAC automatic ampltiude control 自动幅度控制
　　AAD active acoustic device 有源声学软件
　　AAD analogue tape recorder used during session recording and subsequent mixing and/or editing; digital tape recorder used during mastering(transecription)模拟录音、模拟处理数码唱盘
　　AB AB制立体声录音法
　　ABC auto base　and chord 自动低音和弦
　　Abeyance 暂停，潜态
　　A-B repeat A-B 重复
　　ABS absolute 绝对的，完全的，绝对时间
　　ABS american bureau of standard 美国标准局
　　ABSS auto blank secrion scanning 自动磁带空白部分扫描
　　Abstime 绝对运行时间
　　SBTD autonatic bulk tape degausser 磁带自动整体去磁电路
　　Abort 终止，停止（录制或播放）
　　A-B TEST AB 比较试听
　　Absorber 减震器
　　Absorption 声音被物体吸收
　　ABX acoustic bass extension 低音扩展
　　AC accumulator 充电电池
　　AC adjustment caliration 调节－校准
　　AC alternating current 交流电，交流
　　AC audio coding 数码声，音频编码
　　AC audio center 音频中心
　　AC azinuth comprator 方位比较器
　　AC-3 杜比数码环绕声系统
　　AC-3 RF 杜比数码环绕声数据流（接口）
　　ACC Acceleration 加速
　　Accel 渐快，加速
　　Accent 重音，声调
　　Accentuator 预加重电路
　　Access 存取，进入，增加，通路
　　Accessory 附件（接口），配件
　　Acryl 丙基酰基
　　Accompaniment 伴奏，合奏，伴随
　　Accord 和谐，调和
　　Accordion 手风琴
　　ACD autonatic call distributor 自动呼叫分配器
　　ACE audio control erasing 音频控制消磁
　　A- Channel A（左）声道
　　ACIA asynchronous communication interface adapter 异步通信接口适配器
　　CAN active commix network 有源混合网络
　　Acoumeter 测听计　Ａcoustical 声的，声音的
　　Acoustic coloring 声染色
　　Acoustic image 声像
　　Across 交叉，并行，跨接
　　Across frequency 交叉频率，分频频率
　　ACST access time 存取时间
　　Active 主动的，有源的，有效的，运行的
　　Active crossover 主动分频，电子分频，有源分频
　　Active loudspeaker 有源音箱
　　Active page 活动页
　　Activity （线圈）占空系数，动作
　　Actual level 有效电平
　　ACTV advanced compatible television 与普通电视兼容的高清晰度电视系统
　　ACU automatic calling unit 自动呼叫装置
　　Adagio 柔板（从容地）
　　ABAP Adapter 适配器，外接电源
　　A/D audio to digital 模拟／数字
　　ADC audio digital conversion 模拟数字转换
　　ADD alogue tape recorder used during session recording; digital tape recorder used during subsequent mixing ang/or editing ang during mastering (transcription) 模拟录音、数字处理数码唱盘
　　ADD address 地址
　　Adder 混频器

【转载】SPI接口原理了解

SPI接口的全称是"Serial Peripheral Interface",意为串行外围接口,是Motorola首先在其MC68HCXX系列处理器上定义的。SPI接口主要应用在EEPROM, FLASH,实时时钟,AD转换器,还有数字信号处理器和数字信号解码器之间。

SPI接口是在CPU和外围低速器件之间进行同步串行数据传输,在主器件的移位脉冲下,数据按位传输,高位在前,地位在后,为全双工通信,数据传输速度总体来说比I 2C总线要快,速度可达到几Mbps。

SPI接口是以主从方式工作的,这种模式通常有一个主器件和一个或多个从器件,其接口包括以下四种信号：

（1）MOSI � 主器件数据输出,从器件数据输入
（2）MISO � 主器件数据输入,从器件数据输出
（3）SCLK � 时钟信号,由主器件产生
（4）/SS � 从器件使能信号,由主器件控制


在点对点的通信中,SPI接口不需要进行寻址操作,且为全双工通信,显得简单高效。
在多个从器件的系统中,每个从器件需要独立的使能信号,硬件上比I2C系统要稍微复杂一些。

SPI接口在内部硬件实际上是两个简单的移位寄存器,传输的数据为8位,在主器件产生的从器件使能信号和移位脉冲下,按位传输,高位在前,低位在后。如下图所示,在SCLK的下降沿上数据改变,同时一位数据被存入移位寄存器。

接口内部硬件图示：

最后,SPI接口的一个缺点：没有指定的流控制,没有应答机制确认是否接收到数据。

【转载】数字地和模拟地的区别

模拟电路涉及弱小信号，但是数字电路门限电平较高，对电源的要求就比模拟电路低些。既有数字电路又有模拟电路的系统中，数字电路产生的噪声会影响模拟电路，使模拟电路的小信号指标变差，克服的办法是分开模拟地和数字地。

对于低频模拟电路，除了加粗和缩短地线之外，电路各部分采用一点接地是抑制地线干扰的最佳选择，主要可以防止由于地线公共阻抗而导致的部件之间的互相干扰。

而对于高频电路和数字电路，由于这时地线的电感效应影响会更大，一点接地会导致实际地线加长而带来不利影响，这时应采取分开接地和一点接地相结合的方式。

另外对于高频电路还要考虑如何抑制高频辐射噪声，方法是：尽量加粗地线，以降低噪声对地阻抗；满接地，即除传输信号的印制线以外，其他部分全作为地线。不要有无用的大面积铜箔。

地线应构成环路，以防止产生高频辐射噪声，但环路所包围面积不可过大，以免仪器处于强磁场中时，产生感应电流。但如果只是低频电路，则应避免地线环路。数字电源和模拟电源最好隔离，地线分开布置，如果有A/D，则只在此处单点共地。低频中没有多大影响，但建议模拟和数字一点接地。高频时，可通过磁珠把模拟和数字地一点共地。

如果把模拟地和数字地大面积直接相连，会导致互相干扰。不短接又不妥，理由如上有四种方法解决此问题∶1、用磁珠连接；2、用电容连接；3、用电感连接；4、用0欧姆电阻连接。

磁珠的等效电路相当于带阻限波器，只对某个频点的噪声有显着抑制作用，使用时需要预先估计噪点频率，以便选用适当型号。对于频率不确定或无法预知的情况，磁珠不合。

　　电容隔直通交，造成浮地。

　　电感体积大，杂散参数多，不稳定。

　　0欧电阻相当于很窄的电流通路，能够有效地限制环路电流，使噪声得到抑

制。电阻在所有频带上都有衰减作用(0欧电阻也有阻抗)，这点比磁珠强。

【转载】什么是阻抗匹配以及为什么要阻抗匹配

阻抗匹配在高频设计中是一个常用的概念，这篇文章对这个"阻抗匹配"进行了比较好的解析。回答了什么是阻抗匹配。
阻抗匹配（Impedance matching）是微波电子学里的一部分，主要用于传输线上，来达至所有高频的微波信号皆能传至负载点的目的，不会有信号反射回来源点，从而提升能源效益。

大体上，阻抗匹配有两种，一种是透过改变阻抗力（lumped-circuit matching），另一种则是调整传输线的波长（transmission line matching）。

要匹配一组线路，首先把负载点的阻抗值，除以传输线的特性阻抗值来归一化，然后把数值划在史密夫图表上。

改变阻抗力
把电容或电感与负载串联起来，即可增加或减少负载的阻抗值，在图表上的点会沿著代表实数电阻的圆圈走动。如果把电容或电感接地，首先图表上的点会以图中心旋转180度，然后才沿电阻圈走动，再沿中心旋转180度。重覆以上方法直至电阻值变成1，即可直接把阻抗力变为零完成匹配。

[编辑]
调整传输线
由负载点至来源点加长传输线，在图表上的圆点会沿著图中心以逆时针方向走动，直至走到电阻值为1的圆圈上，即可加电容或电感把阻抗力调整为零，完成匹配

阻抗匹配则传输功率大，对于一个电源来讲，单它的内阻等于负载时，输出功率最大，此时阻抗匹配。最大功率传输定理，如果是高频的话，就是无反射波。对于普通的宽频放大器，输出阻抗50Ω，功率传输电路中需要考虑阻抗匹配，可是如果信号波长远远大于电缆长度，即缆长可以忽略的话，就无须考虑阻抗匹配了。阻抗匹配是指在能量传输时,要求负载阻抗要和传输线的特征阻抗相等,此时的传输不会产生反射,这表明所有能量都被负载吸收了.反之则在传输中有能量损失。高速 PCB布线时，为了防止信号的反射，要求是线路的阻抗为50欧姆。这是个大约的数字,一般规定同轴电缆基带50欧姆,频带75欧姆,对绞线则为100欧姆,只是取个整而已,为了匹配方便.

阻抗从字面上看就与电阻不一样，其中只有一个阻字是相同的，而另一个抗字呢？简单地说，阻抗就是电阻加电抗，所以才叫阻抗；周延一点地说，阻抗就是电阻、电容抗及电感抗在向量上的和。在直流电的世界中，物体对电流阻碍的作用叫做电阻，世界上所有的物质都有电阻，只是电阻值的大小差异而已。电阻小的物质称作良导体，电阻很大的物质称作非导体，而最近在高科技领域中称的超导体，则是一种电阻值几近于零的东西。但是在交流电的领域中则除了电阻会阻碍电流以外，电容及电感也会阻碍电流的流动，这种作用就称之为电抗，意即抵抗电流的作用。电容及电感的电抗分别称作电容抗及电感抗，简称容抗及感抗。它们的计量单位与电阻一样是奥姆，而其值的大小则和交流电的频率有关系，频率愈高则容抗愈小感抗愈大，频率愈低则容抗愈大而感抗愈小。此外电容抗和电感抗还有相位角度的问题，具有向量上的关系式，因此才会说：阻抗是电阻与电抗在向量上的和。

阻抗匹配是指负载阻抗与激励源内部阻抗互相适配，得到最大功率输出的一种工作状态。对于不同特性的电路，匹配条件是不一样的。
在纯电阻电路中，当负载电阻等于激励源内阻时，则输出功率为最大，这种工作状态称为匹配，否则称为失配。
当激励源内阻抗和负载阻抗含有电抗成份时，为使负载得到最大功率，负载阻抗与内阻必须满足共扼关系，即电阻成份相等，电抗成份只数值相等而符号相反。这种匹配条件称为共扼匹配。
一.阻抗匹配的研究
在高速的设计中，阻抗的匹配与否关系到信号的质量优劣。阻抗匹配的技术可以说是丰富多样，但是在具体的系统中怎样才能比较合理的应用，需要衡量多个方面的因素。例如我们在系统中设计中，很多采用的都是源段的串连匹配。对于什么情况下需要匹配，采用什么方式的匹配，为什么采用这种方式。
例如：差分的匹配多数采用终端的匹配；时钟采用源段匹配；

1、串联终端匹配
串联终端匹配的理论出发点是在信号源端阻抗低于传输线特征阻抗的条件下，在信号的源端和传输线之间串接一个电阻R，使源端的输出阻抗与传输线的特征阻抗相匹配，抑制从负载端反射回来的信号发生再次反射.
串联终端匹配后的信号传输具有以下特点：
A 由于串联匹配电阻的作用，驱动信号传播时以其幅度的50％向负载端传播；
B 信号在负载端的反射系数接近＋1，因此反射信号的幅度接近原始信号幅度的50％。
C 反射信号与源端传播的信号叠加，使负载端接受到的信号与原始信号的幅度近似相同；
D 负载端反射信号向源端传播，到达源端后被匹配电阻吸收；？
E 反射信号到达源端后，源端驱动电流降为0，直到下一次信号传输。

相对并联匹配来说，串联匹配不要求信号驱动器具有很大的电流驱动能力。

选择串联终端匹配电阻值的原则很简单，就是要求匹配电阻值与驱动器的输出阻抗之和与传输线的特征阻抗相等。理想的信号驱动器的输出阻抗为零，实际的驱动器总是有比较小的输出阻抗，而且在信号的电平发生变化时，输出阻抗可能不同。比如电源电压为＋4.5V的CMOS驱动器，在低电平时典型的输出阻抗为 37Ω，在高电平时典型的输出阻抗为45Ω[4]；TTL驱动器和CMOS驱动一样，其输出阻抗会随信号的电平大小变化而变化。因此，对TTL或CMOS 电路来说，不可能有十分正确的匹配电阻，只能折中考虑。
链状拓扑结构的信号网路不适合使用串联终端匹配，所有的负载必须接到传输线的末端。否则，接到传输线中间的负载接受到的波形就会象图3.2.5中C点的电压波形一样。可以看出，有一段时间负载端信号幅度为原始信号幅度的一半。显然这时候信号处在不定逻辑状态，信号的噪声容限很低。
串联匹配是最常用的终端匹配方法。它的优点是功耗小，不会给驱动器带来额外的直流负载，也不会在信号和地之间引入额外的阻抗；而且只需要一个电阻元件。

2、并联终端匹配

并联终端匹配的理论出发点是在信号源端阻抗很小的情况下，通过增加并联电阻使负载端输入阻抗与传输线的特征阻抗相匹配，达到消除负载端反射的目的。实现形式分为单电阻和双电阻两种形式。
并联终端匹配后的信号传输具有以下特点：
A 驱动信号近似以满幅度沿传输线传播；
B 所有的反射都被匹配电阻吸收；
C 负载端接受到的信号幅度与源端发送的信号幅度近似相同。
在实际的电路系统中，芯片的输入阻抗很高，因此对单电阻形式来说，负载端的并联电阻值必须与传输线的特征阻抗相近或相等。假定传输线的特征阻抗为50Ω，则 R值为50Ω。如果信号的高电平为5V，则信号的静态电流将达到100mA。由于典型的TTL或CMOS电路的驱动能力很小，这种单电阻的并联匹配方式很少出现在这些电路中。
双电阻形式的并联匹配，也被称作戴维南终端匹配，要求的电流驱动能力比单电阻形式小。这是因为两电阻的并联值与传输线的特征阻抗相匹配，每个电阻都比传输线的特征阻抗大。考虑到芯片的驱动能力，两个电阻值的选择必须遵循三个原则：
⑴．两电阻的并联值与传输线的特征阻抗相等；
⑵．与电源连接的电阻值不能太小，以免信号为低电平时驱动电流过大；
⑶．与地连接的电阻值不能太小，以免信号为高电平时驱动电流过大。

并联终端匹配优点是简单易行；显而易见的缺点是会带来直流功耗：单电阻方式的直流功耗与信号的占空比紧密相关？；双电阻方式则无论信号是高电平还是低电平都有直流功耗。因而不适用于电池供电系统等对功耗要求高的系统。另外，单电阻方式由于驱动能力问题在一般的TTL、CMOS系统中没有应用，而双电阻方式需要两个元件，这就对PCB的板面积提出了要求，因此不适合用于高密度印刷电路板。

当然还有：AC终端匹配；基于二极管的电压钳位等匹配方式。

二 .将讯号的传输看成软管送水浇花

2.1 数位系统之多层板讯号线（Signal Line）中，当出现方波讯号的传输时，可将之假想成为软管（hose）送水浇花。一端于手握处加压使其射出水柱，另一端接在水龙头。当握管处所施压的力道恰好，而让水柱的射程正确洒落在目标区时，则施与受两者皆欢而顺利完成使命，岂非一种得心应手的小小成就？

2.2 然而一旦用力过度水注射程太远，不但腾空越过目标浪费水资源，甚至还可能因强力水压无处宣泄，以致往来源反弹造成软管自龙头上的挣脱!不仅任务失败横生挫折，而且还大捅纰漏满脸豆花呢！

2.3 反之，当握处之挤压不足以致射程太近者，则照样得不到想要的结果。过犹不及皆非所欲，唯有恰到好处才能正中下怀皆大欢喜。

2.4 上述简单的生活细节，正可用以说明方波（Square Wave）讯号（Signal）在多层板传输线（Transmission Line，系由讯号线、介质层、及接地层三者所共同组成）中所进行的快速传送。此时可将传输线（常见者有同轴电缆Coaxial Cable，与微带线Microstrip Line或带线Strip Line等）看成软管，而握管处所施加的压力，就好比板面上"接受端"（Receiver）元件所并联到Gnd的电阻器一般，可用以调节其终点的特性阻抗（Characteristic Impedance），使匹配接受端元件内部的需求。

三. 传输线之终端控管技术（Termination）

3.1 由上可知当"讯号"在传输线中飞驰旅行而到达终点，欲进入接受元件（如CPU或Meomery等大小不同的IC）中工作时，则该讯号线本身所具备的"特性阻抗"，必须要与终端元件内部的电子阻抗相互匹配才行，如此才不致任务失败白忙一场。用术语说就是正确执行指令，减少杂讯干扰，避免错误动作"。一旦彼此未能匹配时，则必将会有少许能量回头朝向"发送端"反弹，进而形成反射杂讯（Noise）的烦恼。

3.2 当传输线本身的特性阻抗（Z0）被设计者订定为28ohm时，则终端控管的接地的电阻器（Zt）也必须是28ohm，如此才能协助传输线对Z0的保持，使整体得以稳定在28 ohm的设计数值。也唯有在此种Z0=Zt的匹配情形下，讯号的传输才会最具效率，其"讯号完整性"（Signal Integrity，为讯号品质之专用术语）也才最好。

四.特性阻抗（Characteristic Impedance）

4.1 当某讯号方波，在传输线组合体的讯号线中，以高准位（High Level）的正压讯号向前推进时，则距其最近的参考层（如接地层）中，理论上必有被该电场所感应出来的负压讯号伴随前行（等于正压讯号反向的回归路径 Return Path），如此将可完成整体性的回路（Loop）系统。该"讯号"前行中若将其飞行时间暂短加以冻结，即可想象其所遭受到来自讯号线、介质层与参考层等所共同呈现的瞬间阻抗值（Instantanious Impedance），此即所谓的"特性阻抗"。　　是故该"特性阻抗"应与讯号线之线宽（w）、线厚（t）、介质厚度（h）与介质常数（Dk）都扯上了关系。

4.2 阻抗匹配不良的后果　　由于高频讯号的"特性阻抗"（Z0）原词甚长，故一般均简称之为"阻抗"。读者千万要小心，此与低频AC交流电（60Hz）其电线（并非传输线）中，所出现的阻抗值（Z）并不完全相同。数位系统当整条传输线的Z0都能管理妥善，而控制在某一范围内（±10�或 ±5�）者，此品质良好的传输线，将可使得杂讯减少，而误动作也可避免。　　但当上述微带线中Z0的四种变数（w、t、h、 r）有任一项发生异常，例如讯号线出现缺口时，将使得原来的Z0突然上升（见上述公式中之Z0与W成反比的事实），而无法继续维持应有的稳定均匀（Continuous）时，则其讯号的能量必然会发生部分前进，而部分却反弹反射的缺失。如此将无法避免杂讯及误动作了。例如浇花的软管突然被踩住，造成软管两端都出现异常，正好可说明上述特性阻抗匹配不良的问题。

4.3 阻抗匹配不良造成杂讯　　上述部分讯号能量的反弹，将造成原来良好品质的方波讯号，立即出现异常的变形（即发生高准位向上的Overshoot，与低准位向下的Undershoot，以及二者后续的Ringing）。此等高频杂讯严重时还会引发误动作，而且当时脉速度愈快时杂讯愈多也愈容易出错。
那么是否什么时候都要考虑阻抗匹配？
在普通的宽频带放大器中，因为输出阻抗为50Ω，所以需要考虑在功率传输电路中进行阻抗匹配。但是，实际上当电缆的长度对于信号的波长来说可以忽略不计时，就勿需阻抗匹配的。
考虑信号频率为1MHz，其波长在空气中为300m，在同轴电缆中约为200m。在通常使用的长度为1m左右的同轴电缆中，是在完全可忽略的范围之内。（图H）

如果存在阻抗，那么在阻抗上就会产生功率消耗，所以不做阻抗匹配其结果就会使放大器的输出功率发生无用的浪费。（图J）

【转载】石英晶体谐振器术语

石英晶体俗称水晶,成分SiO2,它不仅是较好的光学材料,而且是重要的压电材料。晶体的主要特征是其原子或分子有规律排列,反映在宏观上是外形的对称性。人造水晶在高温高压下结晶而成。在电场的作用下,晶体内部产生应力而形变,从而产生机械振动,获得特定的频率。我们利用它的这种逆压电效应特性来制造石英晶体谐振器。

术语	定义
ＡＴ切割	用特殊的切割角度加工晶体的一种切割方法,用这种切割方法加工的晶体有良好的温度特性,是制造石英晶体元件最常用的方法。
老化率	石英晶体产品频率相对于时间的稳定性,一般情况下它的变化是几个ppm/年
等效电阻ＲＩ	等效电阻（ESR）通常表明石英谐振器在连续振荡中阻抗性能的好坏
调整频差	各种频率可接收的变化范围（一般情况下用ppm表示）
温度频差	石英晶体元件频率随温度变化而变化的特性。不同的切割方法和不同的切割角度都有不同的特性曲线。
工作温度范围	晶体元件工作在规定频差之内的工作温度范围。
储存温度范围	晶体能在它的特殊性中得到完好保存的范围。
激励电平	电路中用来驱动晶体元件振荡的电源叫激励电平,越好的产品需要的激励电平越小。
负载电容	从晶体的两个引脚向电路系统看去电路所呈现的全部有效电容,即为负载电容,它与晶体元件一起决定晶体在电路上的工作效率。
等效电路	晶体的等效电路。可利用其表述晶体在谐振频率附近的工作特性,Co表示静态电容,是晶体两电极之间的电容和加上引线及基座带来的电容。RI、LI、CI组成晶体等效电路的动态臂。CI表示石英的动态电容。LI为动态电感,RI为动态电阻。

【转载】选用电容时需要考虑的,什么是CBB电容，独石电容，电解电容？

【电容专题】什么是CBB电容，独石电容，电解电容？

1、聚酯（涤纶）电容（CL）
电容量：40p--4u
额定电压：63--630V
主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差
应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路

2、聚苯乙烯电容（CB）
电容量：10p--1u
额定电压：100V--30KV
主要特点：稳定，低损耗，体积较大
应用：对稳定性和损耗要求较高的电路

3、聚丙烯电容（CBB）
电容量：1000p--10u
额定电压：63--2000V
主要特点：性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差
应用：代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路

4、云母电容（CY）
电容量：10p--0。1u
额定电压：100V--7kV
主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小
应用：高频振荡，脉冲等要求较高的电路

5、高频瓷介电容（CC）
电容量：1--6800p
额定电压：63--500V
主要特点：高频损耗小，稳定性好
应用：高频电路

6、低频瓷介电容（CT）
电容量：10p--4.7u
额定电压：50V--100V
主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差
应用：要求不高的低频电路

7、玻璃釉电容（CI）
电容量：10p--0.1u
额定电压：63--400V
主要特点：稳定性较好，损耗小，耐高温（200度）
应用：脉冲、耦合、旁路等电路

8、空气介质可变电容器
可变电容量：100--1500p
主要特点：损耗小，效率高；可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等
应用：电子仪器，广播电视设备等

9、薄膜介质可变电容器
可变电容量：15--550p
主要特点：体积小，重量轻；损耗比空气介质的大
应用：通讯，广播接收机等

10、薄膜介质微调电容器
可变电容量：1--29p
主要特点：损耗较大，体积小
应用：收录机，电子仪器等电路作电路补偿

11、陶瓷介质微调电容器
可变电容量：0。3--22p
主要特点：损耗较小，体积较小
应用：精密调谐的高频振荡回路

12、独石电容
容量范围：0.5PF--1UF
耐压：二倍额定电压
主要特点：电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定，耐高温耐湿性好,温度系数很高
应用范围：广泛应用于电子精密仪器,各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。
独石又叫多层瓷介电容，分两种类型，I型性能挺好，但容量小，一般小于0.2U，另一种叫II型，容量大，但性能一般。

13、铝电解电容
电容量：0.47--10000u
额定电压：6.3--450V
主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大
应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等

14、钽电解电容（CA）铌电解电容（CN）
电容量：0.1--1000u
额定电压：6.3--125V
主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容
应用：在要求高的电路中代替铝电解电容
摘录电解电容厂家的"铝电解电容器适用指南"如下：
一.电路设计
（4）铝电解电容分正负极，不得加反向电压和交流电压，对可能出现反向电压的地方应使用无极性电容。
（5）对需要快速充放电的地方，不应使用铝电解电容器，应选择特别设计的具有较长寿命的电容器。
（6）不应使用过载电压
1.直流电压与纹波电压叠加后的峰值电压低于额定值。
2.两个以上电解电容串联的时候要考虑使用平衡电阻器，使得各个电容上的电压在其额定的范围内。
（9）设计电路板时，应注意电容齐防爆阀上端不得有任何线路，，并应留出2mm以上的空隙。
（10）电解也主要化学溶剂及电解纸为易燃物，且电解液导电。当电解液与pc板接触时，可能腐蚀pc板上的线路。，以致生烟或着火。因此在电解电容下面不应有任何线路。
（11）设计线路板向背应确认发热元器件不靠近铝电解电容或者电解电容的下面。

2008-01-02日补充：

① 铝电解电容与钽电解电容
铝电解电容的容体比较大，串联电阻较大，感抗较大，对温度敏感。它适用于温度变化不大、工作频率不高（不高于25kHz）的场合，可用于低频滤波。铝电解电容具有极性，安装时必须保证正确的极性，否则有爆炸的危险。
与铝电解电容相比，钽电解电容在串联电阻、感抗、对温度的稳定性等方面都有明显的优势。但是，它的工作电压较低。
② 纸介电容和聚酯薄膜电容
其容体比较小，串联电阻小，感抗值较大。它适用于电容量不大、工作频率不高（如1MHz以下）的场合，可用于低频滤波和旁路。使用管型纸介电容器或聚酯薄膜电容器时，可把其外壳与参考地相连，以使其外壳能起到屏蔽的作用而减少电场耦合的影响。
③ 云母和陶瓷电容
其容体比很小，串联电阻小，电感值小，频率/容量特性稳定。它适用于电容量小、工作频率高（频率可达500MHz）的场合，用于高频滤波、旁路、去耦。但这类电容承受瞬态高压脉冲能力较弱，因此不能将它随便跨接在低阻电源线上，除非是特殊设计的。
④ 聚苯乙烯电容器
其串联电阻小，电感值小，电容量相对时间、温度、电压很稳定。它适用于要求频率稳定性高的场合，可用于高频滤波、旁路、去耦。

就温漂而言，独石为正温糸数+130左右,CBB为负温系数-230,用适当比例并联使用,可使温漂降到很小。
就价格而言，钽,铌电容最贵,独石,CBB较便宜,瓷片最低,但有种高频零温漂黑点瓷片稍贵.云母电容Q值较高，价格也稍贵。

各种电容的优缺点

极性   名称   制作   优点   缺点
无   无感CBB电容   2层聚丙乙烯塑料和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成。   无感，高频特性好，体积较小   不适合做大容量，价格比较高，耐热性能较差。
无   CBB电容   2层聚乙烯塑料和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成。   有感，其他同上。
无   瓷片电容   薄瓷片两面渡金属膜银而成。   体积小，耐压高，价格低，频率高（有一种是高频电容）   易碎！容量低
无   云母电容   云母片上镀两层金属薄膜   容易生产，技术含量低。   体积大，容量小，（几乎没有用了）
无   独石电容   体积比CBB更小，其他同CBB，有感
有   电解电容   两片铝带和两层绝缘膜相互层叠，转捆后浸泡在电解液（含酸性的合成溶液）中。   容量大。   高频特性不好。
有   钽电容   用金属钽作为正极，在电解质外喷上金属作为负极。   稳定性好，容量大，高频特性好。   造价高。（一般用于关键地方）

【转载】电感和磁珠的选型

在电子设备的PCB板电路中会大量使用感性元件和EMI滤波器元件。这些元件包括片式电感和片式磁珠,以下就这两种器件的特点进行描述并分析他们的普通应用场合以及特殊应用场合。表面贴装元件的好处在于小的封装尺寸和能够满足实际空间的要求。除了阻抗值,载流能力以及其他类似物理特性不同外,通孔接插件和表面贴装器件的其他性能特点基本相同。
片式电感在需要使用片式电感的场合,要求电感实现以下两个基本功能：电路谐振和扼流电抗。谐振电路包括谐振发生电路,振荡电路,时钟电路,脉冲电路,波形发生电路等等。谐振电路还包括高Q带通滤波器电路。要使电路产生谐振,必须有电容和电感同时存在于电路中。在电感的两端存在寄生电容,这是由于器件两个电极之间的铁氧体本体相当于电容介质而产生的。在谐振电路中,电感必须具有高Q,窄的电感偏差,稳定的温度系数,才能达到谐振电路窄带,低的频率温度漂移的要求。高Q电路具有尖锐的谐振峰值。窄的电感偏置保证谐振频率偏差尽量小。稳定的温度系数保证谐振频率具有稳定的温度变化特性。标准的径向引出电感和轴向引出电感以及片式电感的差异仅仅在于封装不一样。电感结构包括介质材料（通常为氧化铝陶瓷材料）上绕制线圈,或者空心线圈以及铁磁性材料上绕制线圈。在功率应用场合,作为扼流圈使用时,电感的主要参数是直流电阻（DCR）,额定电流,和低Q值。当作为滤波器使用时,希望宽带宽特性,因此,并不需要电感的高Q特性。低的DCR可以保证最小的电压降,DCR定义为元件在没有交流信号下的直流电阻。
片式磁珠片式磁珠的功能主要是消除存在于传输线结构（PCB电路）中的RF噪声,RF能量是叠加在直流传输电平上的交流正弦波成分,直流成分是需要的有用信号,而射频RF能量却是无用的电磁干扰沿着线路传输和辐射（EMI）。要消除这些不需要的信号能量,使用片式磁珠扮演高频电阻的角色（衰减器）,该器件允许直流信号通过,而滤除交流信号。通常高频信号为30MHz以上,然而,低频信号也会受到片式磁珠的影响。
片式磁珠由软磁铁氧体材料组成,构成高体积电阻率的独石结构。涡流损耗同铁氧体材料的电阻率成反比。涡流损耗随信号频率的平方成正比。
使用片式磁珠的好处：小型化和轻量化在射频噪声频率范围内具有高阻抗,消除传输线中的电磁干扰。闭合磁路结构,更好地消除信号的串绕。极好的磁屏蔽结构。降低直流电阻,以免对有用信号产生过大的衰减。显著的高频特性和阻抗特性（更好的消除RF能量）。在高频放大电路中消除寄生振荡。有效的工作在几个MHz到几百MHz的频率范围内。
要正确的选择磁珠,必须注意以下几点：不需要的信号的频率范围为多少。噪声源是谁。需要多大的噪声衰减。环境条件是什么（温度,直流电压,结构强度）。电路和负载阻抗是多少。是否有空间在PCB板上放置磁珠。前三条通过观察厂家提供的阻抗频率曲线就可以判断。在阻抗曲线中三条曲线都非常重要,即电阻,感抗和总阻抗。总阻抗通过ZR22πfL()2+:=fL来描述。典型的阻抗曲线如下图所示：
通过这一曲线,选择在希望衰减噪声的频率范围内具有最大阻抗而在低频和直流下信号衰减尽量小的磁珠型号。片式磁珠在过大的直流电压下,阻抗特性会受到影响,另外,如果工作温升过高,或者外部磁场过大,磁珠的阻抗都会受到不利的影响。
使用片式磁珠和片式电感的原因：是使用片式磁珠还是片式电感主要还在于应用。在谐振电路中需要使用片式电感。而需要消除不需要的EMI噪声时,使用片式磁珠是最佳的选择。
片式磁珠和片式电感的应用场合：片式电感：射频（RF）和无线通讯,信息技术设备,雷达检波器,汽车电子,蜂窝电话,寻呼机,音频设备,PDAs（个人数字助理）,无线遥控系统以及低压供电模块等。片式磁珠：时钟发生电路,模拟电路和数字电路之间的滤波,I/O输入/输出内部连接器（比如串口,并口,键盘,鼠标,长途电信,本地局域网）,射频（RF）电路和易受干扰的逻辑设备之间,供电电路中滤除高频传导干扰,计算机,打印机,录像机（VCRS）,电视系统和手提电话中的EMI噪声抑止。

【转载】什么是磁珠以及磁珠的原理与应用

什么是磁珠
磁珠有很高的电阻率和磁导率，他等效于电阻和电感串联，但电阻值和电感值都随频率变化。他比普通的电感有更好的高频滤波特性，在高频时呈现阻性，所以能在相当宽的频率范围内保持较高的阻抗，从而提高调频滤波效果。
作为电源滤波，可以使用电感。磁珠的电路符号就是电感但是型号上可以看出使用的是磁珠在电路功能上，磁珠和电感是原理相同的，只是频率特性不同罢了
磁珠由氧磁体组成，电感由磁心和线圈组成，磁珠把交流信号转化为热能，电感把交流存储起来，缓慢的释放出去。
磁珠对高频信号才有较大阻碍作用，一般规格有100欧/100mMHZ ,它在低频时电阻比电感小得多。
铁氧体磁珠 (Ferrite Bead) 是目前应用发展很快的一种抗干扰组件，廉价、易用，滤除高频噪声效果显着。
在电路中只要导线穿过它即可（我用的都是象普通电阻模样的，导线已穿过并胶合，也有表面贴装的形式，但很少见到卖的）。当导线中电流穿过时，铁氧体对低频电流几乎没有什么阻抗，而对较高频率的电流会产生较大衰减作用。高频电流在其中以热量形式散发，其等效电路为一个电感和一个电阻串联，两个组件的值都与磁珠的长度成比例。磁珠种类很多，制造商应提供技术指标说明，特别是磁珠的阻抗与频率关系的曲线。
有的磁珠上有多个孔洞，用导线穿过可增加组件阻抗（穿过磁珠次数的平方），不过在高频时所增加的抑制噪声能力不可能如预期的多，而用多串联几个磁珠的办法会好些。
铁氧体是磁性材料，会因通过电流过大而产生磁饱和，导磁率急剧下降。大电流滤波应采用结构上专门设计的磁珠，还要注意其散热措施。
铁氧体磁珠不仅可用于电源电路中滤除高频噪声（可用于直流和交流输出），还可广泛应用于其它电路，其体积可以做得很小。特别是在数字电路中，由于脉冲信号含有频率很高的高次谐波，也是电路高频辐射的主要根源，所以可在这种场合发挥磁珠的作用。
铁氧体磁珠还广泛应用于信号电缆的噪声滤除。
以常用于电源滤波的HH-1H3216-500为例，其型号各字段含义依次为：
HH 是其一个系列，主要用于电源滤波，用于信号线是HB系列；
1 表示一个组件封装了一个磁珠，若为4则是并排封装四个的；
H 表示组成物质，H、C、M为中频应用（50－200MHz），
T低频应用（50MHz），S高频应用（200MHz）；
3216 封装尺寸，长3.2mm，宽1.6mm，即1206封装；
500 阻抗（一般为100MHz时），50 ohm。
其产品参数主要有三项：
阻抗[Z]@100MHz (ohm) : Typical 50, Minimum 37;
直流电阻DC Resistance (m ohm): Maximum 20;
额定电流Rated Current (mA): 2500.
回答了什么磁珠
磁珠的原理
磁珠的主要原料为铁氧体。铁氧体是一种立方晶格结构的亚铁磁性材料。铁氧体材料为铁镁合金或铁镍合金，它的制造工艺和机械性能与陶瓷相似，颜色为灰黑色。电磁干扰滤波器中经常使用的一类磁芯就是铁氧体材料，许多厂商都提供专门用于电磁干扰抑制的铁氧体材料。这种材料的特点是高频损耗非常大，具有很高的导磁率，他可以是电感的线圈绕组之间在高频高阻的情况下产生的电容最小。对于抑制电磁干扰用的铁氧体，最重要的性能参数为磁导率μ和饱和磁通密度Bs。磁导率 μ可以表示为复数，实数部分构成电感，虚数部分代表损耗，随着频率的增加而增加。因此，它的等效电路为由电感L和电阻R组成的串联电路，L和R都是频率的函数。当导线穿过这种铁氧体磁芯时，所构成的电感阻抗在形式上是随着频率的升高而增加，但是在不同频率时其机理是完全不同的。
在低频段，阻抗由电感的感抗构成，低频时R很小，磁芯的磁导率较高，因此电感量较大，L起主要作用，电磁干扰被反射而受到抑制，并且这时磁芯的损耗较小，整个器件是一个低损耗、高Q特性的电感，这种电感容易造成谐振因此在低频段，有时可能出现使用铁氧体磁珠后干扰增强的现象。
在高频段，阻抗由电阻成分构成，随着频率升高，磁芯的磁导率降低，导致电感的电感量减小，感抗成分减小但是，这时磁芯的损耗增加，电阻成分增加，导致总的阻抗增加，当高频信号通过铁氧体时，电磁干扰被吸收并转换成热能的形式耗散掉。
铁氧体抑制元件广泛应用于印制电路板、电源线和数据线上。如在印制板的电源线入口端加上铁氧体抑制元件，就可以滤除高频干扰。铁氧体磁环或磁珠专用于抑制信号线、电源线上的高频干扰和尖峰干扰，它也具有吸收静电放电脉冲干扰的能力。
两个元件的数值大小与磁珠的长度成正比，而且磁珠的长度对抑制效果有明显影响，磁珠长度越长抑制效果越好。
磁珠和电感的区别
电感是储能元件，而磁珠是能量转换（消耗）器件。电感多用于电源滤波回路，侧重于抑止传导性干扰；磁珠多用于信号回路，主要用于EMI方面。磁珠用来吸收超高频信号，象一些RF电路，PLL，振荡电路，含超高频存储器电路（DDR,SDRAM,RAMBUS等）都需要在电源输入部分加磁珠，而电感是一种储能元件，用在LC振荡电路、中低频的滤波电路等，其应用频率范围很少超过50MHz。

1.片式电感：在电子设备的PCB板电路中会大量使用感性元件和EMI滤波器元件。这些元件包括片式电感和片式磁珠，以下就这两种器件的特点进行描述并分析他们的普通应用场合以及特殊应用场合。表面贴装元件的好处在于小的封装尺寸和能够满足实际空间的要求。除了阻抗值，载流能力以及其他类似物理特性不同外，通孔接插件和表面贴装器件的其他性能特点基本相同。在需要使用片式电感的场合，要求电感实现以下两个基本功能：电路谐振和扼流电抗。谐振电路包括谐振发生电路，振荡电路，时钟电路，脉冲电路，波形发生电路等等。谐振电路还包括高Q带通滤波器电路。要使电路产生谐振，必须有电容和电感同时存在于电路中。在电感的两端存在寄生电容，这是由于器件两个电极之间的铁氧体本体相当于电容介质而产生的。在谐振电路中，电感必须具有高Q，窄的电感偏差，稳定的温度系数，才能达到谐振电路窄带，低的频率温度漂移的要求。高Q电路具有尖锐的谐振峰值。窄的电感偏置保证谐振频率偏差尽量小。稳定的温度系数保证谐振频率具有稳定的温度变化特性。标准的径向引出电感和轴向引出电感以及片式电感的差异仅仅在于封装不一样。电感结构包括介质材料（通常为氧化铝陶瓷材料）上绕制线圈，或者空心线圈以及铁磁性材料上绕制线圈。在功率应用场合，作为扼流圈使用时，电感的主要参数是直流电阻（DCR）,额定电流，和低Q值。当作为滤波器使用时，希望宽的带宽特性，因此，并不需要电感的高Q特性。低的DCR可以保证最小的电压降，DCR定义为元件在没有交流信号下的直流电阻。
2.片式磁珠：片式磁珠的功能主要是消除存在于传输线结构（PCB电路）中的RF噪声,RF能量是叠加在直流传输电平上的交流正弦波成分，直流成分是需要的有用信号,而射频RF能量却是无用的电磁干扰沿着线路传输和辐射（EMI）。要消除这些不需要的信号能量，使用片式磁珠扮演高频电阻的角色（衰减器），该器件允许直流信号通过，而滤除交流信号。通常高频信号为 30MHz以上，然而，低频信号也会受到片式磁珠的影响。
片式磁珠由软磁铁氧体材料组成，构成高体积电阻率的独石结构。涡流损耗同铁氧体材料的电阻率成反比。涡流损耗随信号频率的平方成正比。使用片式磁珠的好处：
小型化和轻量化。在射频噪声频率范围内具有高阻抗，消除传输线中的电磁干扰。闭合磁路结构，更好地消除信号的串绕。极好的磁屏蔽结构。降低直流电阻，以免对有用信号产生过大的衰减。

显著的高频特性和阻抗特性（更好的消除RF能量）。在高频放大电路中消除寄生振荡。有效的工作在几个MHz到几百MHz的频率范围内。要正确的选择磁珠，必须注意以下几点：不需要的信号的频率范围为多少。噪声源是谁。需要多大的噪声衰减。环境条件是什么（温度，直流电压，结构强度）。电路和负载阻抗是多少。是否有空间在PCB板上放置磁珠。前三条通过观察厂家提供的阻抗频率曲线就可以判断。在阻抗曲线中三条曲线都非常重要，即电阻，感抗和总阻抗。总阻抗通过ZR22πfL()2+:=fL来描述。典型的阻抗曲线可参见磁珠的DATASHEET。
通过这一曲线，选择在希望衰减噪声的频率范围内具有最大阻抗而在低频和直流下信号衰减尽量小的磁珠型号。片式磁珠在过大的直流电压下，阻抗特性会受到影响，另外，如果工作温升过高，或者外部磁场过大，磁珠的阻抗都会受到不利的影响。
使用片式磁珠和片式电感的原因：是使用片式磁珠还是片式电感主要还在于应用。在谐振电路中需要使用片式电感。而需要消除不需要的EMI噪声时，使用片式磁珠是最佳的选择。片式磁珠和片式电感的应用场合：片式电感：射频（RF）和无线通讯，信息技术设备，雷达检波器，汽车电子，蜂窝电话，寻呼机，音频设备，PDAs（个人数字助理），无线遥控系统以及低压供电模块等。片式磁珠：时钟发生电路，模拟电路和数字电路之间的滤波，I/O输入/输出内部连接器（比如串口，并口，键盘，鼠标，长途电信，本地局域网），射频（RF）电路和易受干扰的逻辑设备之间，供电电路中滤除高频传导干扰，计算机，打印机，录像机（VCRS）,电视系统和手提电话中的EMI噪声抑止。
磁珠的选用

1. 磁珠的单位是欧姆，而不是亨特，这一点要特别注意。因为磁珠的单位是按照它在某一频率产生的阻抗来标称的，阻抗的单位也是欧姆。磁珠的 DATASHEET上一般会提供频率和阻抗的特性曲线图，一般以100MHz为标准，比如1000R@100MHz，意思就是在100MHz频率的时候磁珠的阻抗相当于600欧姆。

2. 普通滤波器是由无损耗的电抗元件构成的，它在线路中的作用是将阻带频率反射回信号源，所以这类滤波器又叫反射滤波器。当反射滤波器与信号源阻抗不匹配时，就会有一部分能量被反射回信号源，造成干扰电平的增强。为解决这一弊病，可在滤波器的进线上使用铁氧体磁环或磁珠套，利用滋环或磁珠对高频信号的涡流损耗，把高频成分转化为热损耗。因此磁环和磁珠实际上对高频成分起吸收作用，所以有时也称之为吸收滤波器。
不同的铁氧体抑制元件，有不同的最佳抑制频率范围。通常磁导率越高，抑制的频率就越低。此外，铁氧体的体积越大，抑制效果越好。在体积一定时，长而细的形状比短而粗的抑制效果好，内径越小抑制效果也越好。但在有直流或交流偏流的情况下，还存在铁氧体饱和的问题，抑制元件横截面越大，越不易饱和，可承受的偏流越大。
EMI吸收磁环 /磁珠抑制差模干扰时，通过它的电流值正比于其体积，两者失调造成饱和，降低了元件性能；抑制共模干扰时，将电源的两根线（正负）同时穿过一个磁环，有效信号为差模信号，EMI吸收磁环/磁珠对其没有任何影响，而对于共模信号则会表现出较大的电感量。磁环的使用中还有一个较好的方法是让穿过的磁环的导线反复绕几下，以增加电感量。可以根据它对电磁干扰的抑制原理，合理使用它的抑制作用。
铁氧体抑制元件应当安装在靠近干扰源的地方。对于输入／输出电路，应尽量靠近屏蔽壳的进、出口处。对铁氧体磁环和磁珠构成的吸收滤波器，除了应选用高磁导率的有耗材料外，还要注意它的应用场合。它们在线路中对高频成分所呈现的电阻大约是十至几百Ω，因此它在高阻抗电路中的作用并不明显，相反，在低阻抗电路（如功率分配、电源或射频电路）中使用将非常有效。
结论
由于铁氧体可以衰减较高频同时让较低频几乎无阻碍地通过，故在EMI控制中得到了广泛地应用。用于EMI吸收的磁环/磁珠可制成各种的形状，广泛应用于各种场合。如在PCB板上，可加在DC/DC模块、数据线、电源线等处。它吸收所在线路上高频干扰信号，但却不会在系统中产生新的零极点，不会破坏系统的稳定性。它与电源滤波器配合使用，可很好的补充滤波器高频端性能的不足，改善系统中滤波特性。

【转载】传感器代号

代号：依次为主称（传感器）被测量―转换原理―序号

①主称――传感器代号C

②被测量―用一个或两个汉语拼音的第一个大写字母标记。常用被测量代码

③转换原理――用一个或两个汉语拼音的第一个大写字母标记转换原理代码表

④序号――用一个阿拉伯数字标记，厂家自定，用来表征产品设计特性、性能参数、产品系列等。若产品性能参数不变，仅在局部有改动或变动时，其序号可在原序号后面顺序地加注大写字母A、B、C等，（其中I、Q不用）

例：

应变式位移传感器： C WY-YB-20

光纤压力传感器：C Y-GQ-2

常用被测量代码表
　

被测量

被测量简称

代号

被测量

被测量简称

代号

加速度

加加速度

亮度

细胞膜电位

磁

冲击

磁透率

磁场强度

磁通量

胆固醇

呼吸频率

转速

生物化学需氧量

硬度

线加速度

心电[图]

线速度

心音

角度

角加速度

肌电[图]

可见光

角速度

角位移

力

露点

力矩

流量

离子

密度

[气体]密度

[液体]密度

脉搏

马赫数

表面粗糙度

粘度

脑电[图]

扭矩

厚度

pH值

葡萄糖

气体

热通量

热流

速度

视网膜电[图]

水分

射线剂量

烧蚀厚度

射线
　

加

加加

胞电

磁透

磁强

磁通

胆固

呼吸

生氧

线加

心电

线速

角

角加

肌电

角速

[气]密

[液]密

马赫

粘

脑电

厚

葡糖

气

热通

视电

射量

蚀厚
　

[Q]M

[Y]M

(H)

电流

电场强度

电压

色度

谷氨酸

温度

照度

红外光

呼吸流量

()离子活[浓]度

声压

图像

温度

[体]温

物位

位移

位置

血

血液电解质

血流

血气

血容量

血流速度

血型

压力

膀胱内压

胃肠内压

颅内压

食道压力

[分]压

[绝]压

[微]压

[差]压

[血]压

眼电[图]

迎角

应力

液位

浊度

振动

紫外光

重量(稳重)

真空度

噪声

姿态

氢离子活[浓]度

钠离子活[浓]度

氯离子活[浓]度

氧分压

一氧化碳分压

电强

色

谷氨

红外

呼流

活[浓]

血电

血容

血速

压

[膀]压

[胃]压

[颅]压

[食]压

眼电

浊

紫光

真空

H⁺

Na⁺

Cl^-

O₂

()H[N]

[T]W

[B]Y

[E]Y

[L]Y

?�?��n

[S]Y

[F]Y

[U]Y

[W]Y

[C]Y

[X]Y

[H]H[N]D

[Na]H[N]D

[CL]H[N]D

[O]

[CO]

常用转换原理代码表

转换原理

转换原理简称

代号

转换原理

转换原理简称

代号

电解

变压器

磁电

催化

场效应管

差压

磁阻

电磁

电导

电感

电化学

单结

电涡流

超声多普勒

电容

电位器

电阻

热导

浮子-干簧

（核）辐射

浮子

光学式

光电

光伏

光化学

光导

光纤

场效

电化

电涡

多普

电位

浮簧

光

光化

光发射

感应

霍耳

晶体管

激光

晶体振子

克拉克电池

酶[式]

声表面波

免疫

热电

热释电

热电丝

（超）声波

伺服

涡街

微生物

涡轮

离子选择电板

谐振

应变

压电

压阻

拆射

阻抗

转子

光射

晶管

晶振

克池

面波

热释

微生

选择

【转载】传感器基础效应

传感器基础效应
　光电效应-- (可制作各种光电器件，位移，振动，转速传感器传感器）
　　外光电效应-- (可制作光电管、光电倍增管传感器）
　　面效应
　体效应
　内光电效应
　　光电导效应-- (可制作光敏电阻（光电导管）传感器）
　
　光生伏特效应-- (可制作光电池、光敏二极管、光敏三极管和半导体位置敏感器件传感器）
　　侧向光生伏特效应（殿巴效应）-- (可制作半导体位置敏感器件（反转光敏二极管）传感器）
　
　 PN结光生伏特效应-- (可制作光电池、光敏二极管和光敏三极管传感器）
　光磁电效应（PME效应）
　贝克勒尔效应-- (可制作感光电池传感器）
　电光效应-- (可制作光导纤维传感器传感器）
　　线性电光效应（泡克尔斯效应）-- (可制作电光调制器、电光开关、光纤电压、电场传感器传感器）
　
　平方电光效应（电光克尔效应）-- (可制作光导纤维传感器传感器）
　光弹性效应-- (可制作压力传感器、振动传感器、声传感器传感器）
　电致发光效应-- (可制作发光二极管、半导体激光器传感器）
　磁光效应-- (可制作光纤传感器传感器）
　　磁光法拉第效应-- (可制作光纤传感器传感器）
　
　磁光克尔效应-- (可制作光纤传感器传感器）
　科顿-蒙顿效应
　磁电效应
　　霍尔效应-- (可制作霍尔元件，接近开关，位置位移传感器，转速传感器等传感器）
　
　磁阻效应-- (可制作磁阻传感器，磁编码器，角度传感器传感器）
　　物理磁阻效应
　形状磁阻效应
　强制磁阻效应
　定向磁阻效应

　热电效应-- (可制作热电偶传感器）
　　珀尔帖效应-- (可制作用于控制半导体激光器温度的制冷器传感器）
　
　汤姆逊效应
　塞贝克效应（温差电效应）-- (可制作热电偶传感器）
　热释电效应-- (可制作红外探测器、温度传感器、热成像器件传感器）
　热磁效应
　　横向能斯脱效应
　
　纵向能斯脱效应（电气纵向效应）
　热磁横向效应（里纪-勒杜克效应）
　热磁纵向效应
　

　压电效应-- (可制作力、压力、振动、加速度传感器，超声波探头、声表面波（SAW）传感器、陀螺传感器）
　　正压电效应-- (可制作压电式力、压力、振动、加速度传感器，压电超声波探头，压电声表面波SAW传感器，压电陀螺传感器）
　　纵向压电效应
　
　横向压电效应
　切向压电效应
　

　逆压电效应-- (可制作超声波发生器，声发射传感器，压电扬声器，晶振传感器）
　压阻效应-- (可制作压阻式压力、加速度、重量、应变、拉力、流量、真空度传感器传感器）
　电致伸缩效应
　磁致伸缩效应-- (可制作可制成电声器件、超声波发生器、光纤式传感器传感器）
　　正磁致伸缩效应（焦耳效应）-- (可制作电声器件、超声波发生器、光纤式传感器（调制单模光纤长度）传感器）
　压磁效应（逆磁致伸缩效应）-- (可制作压磁式力、压力、力矩、重量传感器传感器）
　威德曼效应-- (可制作扭矩传感器、力传感器传感器）
　
　逆威德曼效应-- (可制作扭矩、力传感器传感器）
　隧道效应
　　超导体隧道效应（约瑟夫逊效应）-- (可制作红外传感器，绝对温度计，超导量子干涉器件SQUID传感器）
　　直流约瑟夫逊效应-- (可制作超导量子干涉器件SQUID、测量如人体心脏和脑活动所产生的微小磁场变化传感器）
　
　交流约瑟夫逊效应
　　加直流电压辐射电磁波-- (可制作V―F变换器传感器）
　
　加交/直流电压输出直流信号-- (可制作量子型高精度高灵敏度（10E-19V）电压传感器、远红外高速高灵敏光传感器、温度传感器传感器）
　

　核磁共振-- (可制作磁传感器，超精密温度传感器传感器）
　
　光相关效应
　　光多普勒效应-- (可制作速度、流速、流量传感器，如光纤式血液流速传感器、激光多普勒超低速（1cm/h）传感器、超音测量传感器传感器）
　
　萨古纳克效应-- (可制作环形激光陀螺、光纤陀螺传感器）
　喇曼效应
　派生喇曼Raman效应
　布里渊效应
　派生布里渊Brillouin效应
　
　声波相关效应
　　声多普勒Doppler效应-- (可制作超声流速计传感器）
　声电效应-- (可制作超声信号放大器、声电振荡器传感器）
　
　声光效应-- (可制作声光偏转器、光调制器、声光Q开关、光纤式声传感器传感器）
　
　声磁效应（磁声效应）
　德.哈斯-板.阿尔芬效应
　
　碰撞-阻尼效应
　 ΔE效应
　遮掩效应
　衍射效应
　射线相关效应-- (可制作光纤放射线传感器传感器）
　　 γ射线光电效应
　
　 X射线相关效应
　　吸收效应
　
　原子序号效应
　俄歇效应
　康普顿效应
　纬度效应
　击波动态效应
　　动态电学效应-- (可制作瞬态压力传感器传感器）
　　动态光学效应
动态磁学效应
　
　半导体表面效应
　半导体吸附效应-- (可制作气敏传感器传感器）
半导体表面场效应-- (可制作绝缘栅场效应管同，气敏、离子敏、生物敏等半导体场效应化学传感器传感器）
　
　化学相关效应
　科顿效应
　中性盐效应
　一次效应
　二次效应
　饱和效应
　电泳效应-- (可制作蛋白质分析传感器传感器）
　贝克.纳赞效应
　彼得效应
　努森效应

【转载】传感器常用术语

1.传感器

能感受规定的被测量并按照一定的规律转换成可用输出信号的器件或装置。通常有敏感元件和转换元件组成。

① 敏感元件是指传感器中能直接（或响应）被测量的部分。
② 转换元件指传感器中能较敏感元件感受（或响应）的北侧量转换成是与传输和（或）测量的电信号部分。
③ 当输出为规定的标准信号时，则称为变送器。
2.测量范围
在允许误差限内被测量值的范围。
3. 量程

测量范围上限值和下限值的代数差。
4. 精确度
被测量的测量结果与真值间的一致程度。
5.从复性

在所有下述条件下，对同一被测的量进行多次连续测量所得结果之间的符合程度：
……相同测量方法：
……相同观测者：
……相同测量仪器：
……相同地点：

……相同使用条件：
……在短时期内的重复。
6. 分辨力
传感器在规定测量范围圆可能检测出的被测量的最小变化量。
7. 阈值

能使传感器输出端产生可测变化量的被测量的最小变化量。
8. 零位
使输出的绝对值为最小的状态，例如平衡状态。
9. 激励
为使传感器正常工作而施加的外部能量（电压或电流）。

10. 最大激励

在市内条件下，能够施加到传感器上的激励电压或电流的最大值。
11. 输入阻抗

在输出端短路时，传感器输入的端测得的阻抗。
12. 输出

有传感器产生的与外加被测量成函数关系的电量。
13. 输出阻抗

在输入端短路时，传感器输出端测得的阻抗。
14. 零点输出

在市内条件下，所加被测量为零时传感器的输出。
15. 滞后

在规定的范围内，当被测量值增加和减少时，输出中出现的最大差值。
16. 迟后
输出信号变化相对于输入信号变化的时间延迟。
17. 漂移

在一定的时间间隔内，传感器输出终于被测量无关的不需要的变化量。
18. 零点漂移

在规定的时间间隔及室内条件下零点输出时的变化。

19. 灵敏度
传感器输出量的增量与相应的输入量增量之比。
20. 灵敏度漂移
由于灵敏度的变化而引起的校准曲线斜率的变化。
21.热灵敏度漂移
由于灵敏度的变化而引起的灵敏度漂移。
22. 热零点漂移

由于周围温度变化而引起的零点漂移。

23. 线性度

校准曲线与某一规定只限一致的程度。
24. 菲线性度
校准曲线与某一规定直线偏离的程度。
25.长期稳定性
传感器在规定的时间内仍能保持不超过允许误差的能力。
26. 固有凭率
在无阻力时，传感器的自由（不加外力）振荡凭率。
27. 响应

输出时被测量变化的特性。
28.补偿温度范围

使传感器保持量程和规定极限内的零平衡所补偿的温度范围。
29. 蠕变

当被测量机器多有环境条件保持恒定时，在规定时间内输出量的变化。
30. 绝缘电阻
如无其他规定，指在室温条件下施加规定的直流电压时，从传感器规定绝缘部分之间测得的电阻值。

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2010年5月10日星期一